擴散爐工作區(qū)間內(nèi)(800到1000mm)一般需要±01℃(個別要求±0.5℃)。多數(shù)情況下只使用外溫控制,內(nèi)溫只在數(shù)據(jù)測試(Profiling)和2-3周一次的矯正時使用。不同晶片及數(shù)量的要求內(nèi)溫相對外溫設定值由profiling給出。使用內(nèi)溫時,使用串級控制,內(nèi)溫輸出作為外溫設定值使用。為防止電流過大,會加一些電流限定或限制值斜坡。外溫取2熱電偶之高值。一般800到1200度內(nèi)擴散,一次約12-14小時。
控制難點:
FA-M3適用模塊: